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    FDS8958A 参数 Datasheet PDF下载

    FDS8958A图片预览
    型号： FDS8958A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N和P沟道增强型场效应晶体管 [Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
    文件页数/大小： 11 页 / 285 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第9页浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第10页浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第11页  
    FDS8958A
    典型特征Q2
    10
    I
    D
    = -5.3A
    V
    DS
    = -5V
    8
    -15V
    6
    -10V
    1000
    F = 1 MHz的
    V
    GS
    = 0 V
    C
    国际空间站
    800
    600
    4
    400
    C
    OSS
    2
    200
    C
    RSS
    0
    0
    5
    10
    15
    0
    5
    10
    15
    20
    Q
    g
    ，栅极电荷（ NC）
    0
    -V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    图17.栅极电荷特性。
    100
    R
    DS （ ON）
    极限
    10
    µ
    1ms的100秒
    10ms
    100ms
    1s
    1
    DC
    0.1
    V
    GS
    = -10V
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    = 135℃ / W
    T
    A
    = 25 C
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    0
    o
    o
    图18.电容特性。
    50
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    = 135 ° C / W
    T
    A
    = 25°C
    40
    30
    10s
    20
    10
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    -V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    t
    1
    ，时间（秒）
    图19.最大安全工作区。
    图20.单脉冲最大
    功耗。
    1
    D = 0.5
    0.2
    R
    θ
    JA
    （吨） = R（T） + R
    θ
    JA
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    单脉冲
    0.1
    R
    θ
    JA
    = 135℃ / W
    P（ PK）
    t
    1
    t
    2
    T
    J
    - T
    A
    = P * R
    θ
    JA
    (t)
    占空比D = T
    1
    / t
    2
    o
    0.01
    0.001
    0.0001
    0.001
    0.01
    0.1
    t
    1
    ，时间（秒）
    1
    10
    100
    1000
    图21.瞬态热响应曲线。
    热特性进行使用注1c中所述的条件。
    瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
    FDS8958A版本D（ W）

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