欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

FDS8958A 参数 Datasheet PDF下载

FDS8958A图片预览
型号: FDS8958A
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 双N和P沟道增强型场效应晶体管 [Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
文件页数/大小: 11 页 / 285 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FDS8958A的Datasheet PDF文件第9页  
FDS8958A
典型特征: Q1
10
I
D
=7A
8
15V
6
V
DS
= 5V
10V
1200
F = 1MHz的
V
GS
= 0 V
900
C
国际空间站
600
4
300
2
C
OSS
C
RSS
0
0
4
8
Q
g
,栅极电荷( NC)
12
16
0
0.0
5.0
10.0
15.0
20.0
V
DS
,漏源极电压( V)
图7.栅极电荷特性。
100
R
DS ( ON)
极限
100
µ
s
1ms
10ms
100ms
1
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JA
= 135℃ / W
T
A
= 25 C
0.01
0.1
1
10
100
0
o
o
图8.电容特性。
50
单脉冲
R
θ
JA
= 135 ° C / W
T
A
= 25°C
40
10
30
1s
10s
DC
20
0.1
10
0.001
0.01
0.1
1
t
1
,时间(秒)
10
100
1000
V
DS
,漏源电压(V )
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
FDS8958A版本D( W)