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    FDS8884 参数 Datasheet PDF下载

    FDS8884图片预览
    型号： FDS8884
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道PowerTrench MOSFET的30V ， 8.5A ， 23mOhm [N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 8.5A, 23mOhm]
    分类和应用： 晶体晶体管开关脉冲光电二极管PC
    文件页数/大小： 6 页 / 306 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS8884的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS8884的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS8884的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS8884的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS8884的Datasheet PDF文件第6页  
    典型特征
    T
    J
    = 25 ° C除非另有说明
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    FDS8884的N-沟道PowerTrench
    ®
    MOSFET
    10
    8
    6
    4
    2
    0
    V
    DD
    = 10V
    V
    DD
    = 15V
    700
    600
    电容（pF）
    C
    国际空间站
    F = 1MHz的
    V
    GS
    = 0V
    500
    400
    300
    200
    100
    V
    DD
    = 20V
    C
    OSS
    C
    RSS
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    0.1
    Q
    g
    ，栅极电荷（ NC）
    1
    10
    V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    30
    图7.栅极电荷特性
    20
    I
    AS
    ，雪崩电流（ A）
    图8.电容VS漏源极电压
    9
    8
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    V
    GS
    = 10V
    10
    起始物为
    J
    = 25
    o
    C
    7
    6
    5
    4
    3
    2
    1
    R
    θ
    JA
    = 50
    o
    C / W
    V
    GS
    = 4.5V
    起始物为
    J
    = 125
    o
    C
    1
    0.01
    0.1
    1
    t
    AV
    ，一次雪崩（毫秒）
    10
    20
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    T
    A
    ，环境温度
    (
    o
    C
    )
    图9.松开电感开关
    能力
    100
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    10us
    图10.最大连续漏极电流与
    环境温度
    P
    （ PK）
    峰值瞬态功率
    (
    W
    )
    2000
    1000
    T
    A
    = 25
    o
    C
    对于温度
    上述25
    o
    C减免PEAK
    当前，如下所示：
    10
    100us
    100
    I = I
    25
    1
    操作在此
    区域可以
    限于由R
    DS （ ON）
    单脉冲
    T
    J
    =最大额定
    T
    A
    = 25
    o
    C
    1ms
    10ms
    100ms
    1s
    DC
    V
    GS
    =10V
    150
    –
    T
    A
    -----------------------
    -
    125
    0.1
    10
    单脉冲
    0.01
    0.1
    1
    10
    V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    100
    1
    -5
    10
    10
    -4
    10
    -3
    10
    10
    10
    T，脉冲宽度（ S）
    -2
    -1
    0
    10
    1
    10
    2
    图11 。
    正向偏置安全工作区
    图12.单脉冲最大功率
    耗散
    4
    FDS8884版本A
    www.fairchildsemi.com

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