FDS8884的N-沟道PowerTrench
®
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
∆
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= 250μA ，参考
25
o
C
V
DS
= 24V
V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V
T
J
=
125
o
C
30
23
1
250
±100
V
毫伏/
o
C
µA
nA
基本特征
（注3）
V
GS （ TH）
∆V
GS （ TH）
∆
T
J
r
DS （ ON）
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
漏极至源极导通电阻
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250µA
I
D
= 250μA ，参考
25
o
C
V
GS
= 10V ，我
D
= 8.5A,
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 7.5A,
V
GS
= 10V ，我
D
= 8.5A,
T
J
= 125
o
C
1.2
1.7
-4.9
19
23
26
23
30
32
mΩ
2.5
V
毫伏/
o
C
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
F = 1MHz的
475
100
65
0.9
635
135
100
1.6
pF
pF
pF
Ω
开关特性
（注3）
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源栅极电荷
栅漏电荷
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V
I
D
= 8.5A
V
DS
= 15V, V
GS
= 5V
I
D
= 8.5A
V
DD
= 15V ，我
D
= 8.5A
V
GS
= 10V ，R
GS
= 33Ω
5
9
42
21
9.2
5.0
1.5
2.0
10
18
68
34
13
7
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
源极到漏极二极管电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
SD
= 8.5A
I
SD
= 2.1A
I
F
= 8.5A ，的di / dt = 100A / μs的
0.9
0.8
1.25
1.0
33
20
V
V
ns
nC
注意事项：
1:
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏针。 ř
θJC
由设计而ř
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 50℃ / W的时
装在1平方英寸
2盎司纯铜垫
B） 105 ° C / W时，
安装在一个0.04
2
2盎司纯铜垫
C） 125 ° C / W时，
安装在一
minimun垫
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2:
起始物为
J
= 25
°
C，L = 1MH ，我
AS
= 8A ，V
DD
= 27V, V
GS
= 10V.
3:
脉冲测试：脉冲宽度<300
µs,
占空比<2 ％ 。
2
FDS8884版本A
www.fairchildsemi.com
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
