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FDS7096N3 参数 Datasheet PDF下载

FDS7096N3图片预览
型号: FDS7096N3
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内容描述: 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 [30V N-Channel PowerTrench MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 171 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS7096N3
典型特征
60
50
I
D
,漏电流( A)
40
30
20
10
0
0
6.0V
3.5V
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
V
GS
=10V
4.5V
2
1.8
V
GS
= 3.5V
1.6
1.4
1.2
1
0.8
4.0V
4.5V
5.0V
6.0V
10V
3.0V
0.5
1
1.5
2
2.5
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
,漏源电压(V )
I
D
,漏电流( A)
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.022
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
1.6
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 14A
V
GS
= 10V
I
D
= 7A
0.02
0.018
0.016
0.014
0.012
0.01
0.008
0.006
2
4
6
8
10
V
GS
,门源电压( V)
1.4
1.2
T
A
= 125
o
C
1
0.8
T
A
= 25
o
C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
,结温(
o
C)
图3.导通电阻变化
withTemperature 。
70
60
I
D
,漏电流( A)
50
40
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
I
S
,反向漏电流( A)
V
GS
= 0V
10
1
T
A
= 125
o
C
0.1
25
o
C
0.01
-55
o
C
0.001
0.0001
V
DS
= 5V
T
A
=125
o
C
30
20
10
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
GS
,门源电压( V)
25
o
C
-55
o
C
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
,体二极管正向电压( V)
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS7096N3版本E2 ( W)