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FDS7096N3 参数 Datasheet PDF下载

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型号: FDS7096N3
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内容描述: 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 [30V N-Channel PowerTrench MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 171 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS7096N3
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
∆T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
∆V
GS ( TH)
∆T
J
R
DS ( ON)
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
(注2 )
测试条件
I
D
= 250
µA
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
µA,
参考25 ℃下
V
DS
= 24 V,
V
GS
=
±20
V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
30
典型值
最大单位
V
开关特性
27
10
±100
1
1.9
–6
7.5
9.5
11
62
3
毫伏/°C的
µA
nA
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
正向跨导
I
D
= 250
µA
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250
µA,
参考25 ℃下
V
GS
= 10 V,
I
D
= 14 A
I
D
= 13 A
V
GS
= 4.5 V,
V
GS
= 10 V,I
D
= 14 A,T
J
= 125°C
V
DS
= 10 V,
I
D
= 14 A
V
毫伏/°C的
9
12
14
mΩ
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
t
RR
Q
RR
V
SD
S
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
(注2 )
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
1587
385
154
1.4
pF
pF
pF
20
23
43
27
22
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
GS
= 15 mV时, F = 1.0 MHz的
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
= 6
开关特性
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
11
13
27
15
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 5.0 V
I
D
= 14 A,
16
5
6
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
漏源二极管正向
电压
I
F
= 14 A,
d
iF
/d
t
= 100 A / μs的
V
GS
= 0 V,
I
S
= 2.5 A
16
(注2 )
(注2 )
2.5
26
0.7
1.2
A
ns
nC
V
注意事项:
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻,其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。 ř
θJC
由设计而ř
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
40 ° C / W时,
安装在一个1英寸
2
PAD
2盎司纯铜
b)
安装在85 ° C / W
2盎司最小焊盘
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2.
脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 %
FDS7096N3版本E2 ( W)