FDS6990AS双30V N沟道的PowerTrench
®
SyncFET ™
典型特征
(续)
SyncFET肖特基体二极管特性
飞兆半导体的SyncFET过程中嵌入paral-肖特基二极管
LEL用的PowerTrench MOSFET。这个二极管具有相似的煤焦
Cucumis Sativus查阅全文以离散外部肖特基二极管并联一个
MOSFET。图12示出了反向恢复特性
在FDS6990AS的。
肖特基势垒二极管具有显着的泄漏温高
perature和高的反向电压。这会增加功率
在设备中。
0.1
I
DSS
,反向漏电流( A)
0.01
T
A
= 125° C
0.001
T
A
= 100° C
0.0001
0.4A/Div
0.00001
T
A
= 25°C
0.000001
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
,反向电压(V)的
12.5nS/Div
图14. SyncFET体二极管反向漏
相对于漏 - 源电压和温度。
图12. FDS6990AS SyncFET体二极管
的反向恢复特性。
为了便于比较,图13显示了相反的
同等大小的体二极管的恢复特性
MOSFET生产,无需SyncFET ( FDS6990A ) 。
0.4A/Div
12.5nS/Div
图13.非SyncFET ( FDS6990A )体
二极管的反向恢复特性。
6
FDS6990AS牧师A1
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