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型号: FDS6990AS
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内容描述: 双30V N沟道的PowerTrench SyncFET [Dual 30V N-Channel PowerTrench SyncFET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 8 页 / 896 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS6990AS双30V N沟道的PowerTrench
®
SyncFET ™
典型特征
10
I
D
=7.5A
1500
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
V
DS
= 10V
20V
6
15V
4
1200
V
GS
,栅源电压(V )
8
电容(pF)
900
C
国际空间站
600
C
OSS
2
300
C
RSS
0
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
,栅极电荷( NC)
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
,漏源极电压( V)
图7.栅极电荷特性。
100
R
DS ( ON)
极限
100µs
50
图8.电容特性。
P( PK) ,峰值瞬态功率( W)
40
单脉冲
R
θ
JA
= 135 ° C / W
T
A
= 25°C
I
D
,漏电流( A)
10
100s
1
DC
0.1
V
GS
= 10V
单脉冲
R
θ
JA
= 135
o
C / W
T
A
= 25 C
0.01
0.1
1
10
o
1ms
10ms
1s
10s
30
20
10
0
100
0.001
0.01
0.1
V
DS
,漏源电压(V )
1
t
1
,时间(秒)
10
100
1000
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R(T ) ,规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
R
θ
JA
(吨) = R (t)的R *
θ
JA
0.2
R
θ
JA
= 135
° C / W
P( PK)
t
1
t
2
单脉冲
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
T
J
– T
A
= P * R
θ
JA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
5
FDS6990AS牧师A1
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