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    FDS6982 参数 Datasheet PDF下载

    FDS6982图片预览
    型号： FDS6982
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N沟道，笔记本电脑电源MOSFET [Dual N-Channel, Notebook Power Supply MOSFET]
    分类和应用： 电脑
    文件页数/大小： 12 页 / 240 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS6982的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS6982的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS6982的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS6982的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS6982的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS6982的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDS6982的Datasheet PDF文件第8页浏览型号FDS6982的Datasheet PDF文件第9页  
    FDS6982
    电气特性
    符号
    参数
    T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    测试条件
    输入最小值典型值最大值单位
    开关特性
    BV
    DSS
    ∆
    BV
    DSS
    ∆
    T
    J
    I
    DSS
    I
    GSSF
    I
    GSSR
    漏源击穿
    电压
    击穿电压
    温度COEF网络cient
    零栅压漏
    当前
    门体泄漏，正向
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 250
    µ
    A
    I
    D
    = 250
    µ
    A，参考25
    °
    C
    V
    DS
    = 24 V, V
    GS
    = 0 V
    V
    GS
    = 20 V, V
    DS
    = 0 V
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    所有
    所有
    所有
    30
    30
    27
    26
    1
    100
    -100
    V
    毫伏/
    °
    C
    µ
    A
    nA
    nA
    门体泄漏，反向V
    GS
    = -20 V, V
    DS
    = 0 V
    （注2 ）
    基本特征
    V
    GS （ TH）
    ∆
    V
    GS （ TH）
    ∆
    T
    J
    R
    DS （ ON）
    栅极阈值电压
    栅极阈值电压
    温度COEF网络cient
    静态漏源
    导通电阻
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250
    µ
    A
    I
    D
    = 250
    µ
    A，参考25
    °
    C
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 8.6 A
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 8.6 A，T
    J
    = 125
    °
    C
    V
    GS
    = 4.5 V，I
    D
    = 7.5 A
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 6.3 A
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 6.3 A，T
    J
    = 125
    °
    C
    V
    GS
    = 4.5 V，I
    D
    = 5.6 A
    V
    GS
    = 10 V, V
    DS
    = 5 V
    V
    DS
    = 5 V，I
    D
    = 8.6 A
    V
    DS
    = 5 V，I
    D
    = 6.3 A
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    1
    1
    Q1
    2.2
    1.6
    -5
    -4
    0.012
    0.018
    0.016
    0.021
    0.038
    0.028
    3
    3
    V
    毫伏/
    °
    C
    0.015
    0.024
    0.020
    0.028
    0.047
    0.035
    Ω
    I
    D（上）
    g
    FS
    通态漏电流
    正向跨导
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    30
    20
    50
    40
    A
    S
    动态特性
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    V
    DS
    = 10 V, V
    GS
    = 0 V,
    F = 1.0 MHz的
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    Q2
    Q1
    2085
    760
    420
    160
    160
    70
    pF
    pF
    pF
    FDS6982 ，版本C

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