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FDS6982 参数 Datasheet PDF下载

FDS6982图片预览
型号: FDS6982
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内容描述: 双N沟道,笔记本电脑电源MOSFET [Dual N-Channel, Notebook Power Supply MOSFET]
分类和应用: 电脑
文件页数/大小: 12 页 / 240 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS6982
1999年6月
FDS6982
双N沟道,笔记本电脑电源MOSFET
概述
这部分是用来取代两个单SO- 8 MOSFET的
在同步DC :直流电源,提供
在笔记本电脑所需要的各种外围电压轨
计算机和其它电池供电的电子设备。
FDS6982包含两个独特30V, N沟道,逻辑电平,
的PowerTrench
TM
MOSFET的设计,最大限度地提高电源
转换效率。
高侧开关(Q1)被设计具有特定
重视降低开关损耗,而低侧
开关( Q2 )的低导通(小于20MΩ优化
在V
GS
= 4.5V).
特点
Q2 : 8.6A , 30V 。 ř
DS ( ON)
= 0.015
@ V
GS
= 10V
R
DS ( ON)
= 0.020
@ V
GS
= 4.5V
Q1 : 6.3A , 30V 。 ř
DS ( ON)
= 0.028
@ V
GS
= 10V
R
DS ( ON)
= 0.035
@ V
GS
= 4.5V
快速开关速度。
低栅极电荷(典型Q1 = 8.5nC ) 。
高性能沟道技术极
低R
DS ( ON)
.
应用
电池供电的同步DC : DC转换器。
嵌入式DC : DC转换。
D2
D2
D1
D1
G2
S2
5
6
7
Q1
4
3
2
Q2
SO-8
G1
S1
8
1
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
功耗双操作
功率消耗单操作
(注1A )
(注1B )
(注1C )
(注1A )
Q2
30
±
20
8.6
30
2
1.6
1
0.9
-55到+150
Q1
30
±
20
6.3
20
单位
V
V
A
W
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°
C
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
78
40
°
C / W
°
C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6982
©1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
设备
FDS6982
带尺寸
13”
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
FDS6982 ,版本C