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FDS6930A 参数 Datasheet PDF下载

FDS6930A图片预览
型号: FDS6930A
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内容描述: 双N沟道逻辑电平, PowerTrench MOSFET的 [Dual N-Channel,Logic Level,PowerTrench MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 196 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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典型电气特性
V
GS
,栅源电压(V )
10
1000
I
D
= 5.5A
8
V
DS
= 5V
500
15V
6
10V
电容(pF)
ç国际空间站
200
100
50
科斯
4
2
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
0.2
0.5
1
2
5
ç RSS
0
0
2
4
6
8
10
0.1
10
30
Q
g
,栅极电荷( NC)
V
DS
,漏源极电压( V)
图7.栅极电荷特性。
图8.电容特性。
100
50
I
D
,漏电流( A)
10
2
0.5
S(O
L
N)
IM
IT
30
100
1m
10m
s
us
功率(W)的
25
20
15
10
5
0
0.01
RD
单脉冲
R
θ
JA
= 135 ° C / W
T
A
= 25°C
10
10s
DC
s
0m
s
1s
0.05
0.01
0.1
V
GS
=10V
单脉冲
R
θ
JA
=135°C/W
A
T
A
=25°C
0.5
1
2
5
10
30
50
0.1
0.5
10
50 100
300
V
DS
,漏源电压(V )
单脉冲时间(秒)
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大功率
耗散。
R(T ) ,规范有效
瞬态热阻
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.002
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P( PK)
R
θ
JA
(吨) = R (t)的R *
θ
JA
R
θ
JA
= 135 ° C / W
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA (T )
占空比D = T
1
/t
2
100
300
图11.瞬态热响应曲线。
热特性进行使用注1c中所述的条件。
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDS6930A Rev.D