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FDS6930A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: FDS6930A
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内容描述: 双N沟道逻辑电平, PowerTrench MOSFET的 [Dual N-Channel,Logic Level,PowerTrench MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 196 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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1998年10月
FDS6930A
双N沟道逻辑电平,的PowerTrench
TM
MOSFET
概述
特点
5.5 A, 30 V ř
DS ( ON)
= 0.040
@ V
GS
= 10 V
R
DS ( ON)
= 0.055
@ V
GS
= 4.5 V.
快速开关速度。
低栅极电荷(典型值5 NC) 。
高性能沟道技术极低
R
DS ( ON)
.
高功率和电流处理能力。
这些N沟道逻辑电平MOSFET是
利用飞兆半导体的制作
这一直是先进的PowerTrench工艺
特别是针对减少导通状态
性,但保持出色的开关
性能。
这些装置非常适用于低电压和
电池供电的应用中,低线
功率损耗和快速开关是必需的。
SOT-23
SuperSOT
TM
-6
SuperSOT -8
TM
SO-8
SOT-223
SOIC-16
D2
D1
D1
D2
5
6
4
3
2
1
S
FD 0A
3
69
G1
S2
G2
7
8
SO-8
1
S1
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
- 脉冲
T
A
= 25
o
C除非另有说明
FDS6930A
30
±20
(注1A )
单位
V
V
A
5.5
20
功耗双操作
功率消耗单操作
(注1 )
(注1A )
(注1B )
(注1C )
2
1.6
1
0.9
-55到150
W
W
T
J
,T
英镑
R
θ
JA
R
θ
JC
工作和存储温度范围
°C
热特性
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
(注1A )
(注1 )
78
40
° C / W
° C / W
©1998仙童半导体公司
FDS6930A Rev.D