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    FDS6912A_03 参数 Datasheet PDF下载

    FDS6912A_03图片预览
    型号： FDS6912A_03
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET [Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 121 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS6912A_03的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS6912A_03的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS6912A_03的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS6912A_03的Datasheet PDF文件第5页  
    FDS6912A
    典型特征
    20
    2.2
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    V
    GS
    = 10.0V
    4.0V
    3.5V
    16
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    6.0V
    12
    4.5V
    1.8
    V
    GS
    = 3.5V
    1.4
    4.0
    4.5V
    5.0
    6.0V
    10.0V
    8
    3.0V
    4
    1
    0
    0
    0.5
    1
    1.5
    V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    2
    0.6
    0
    4
    8
    12
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    16
    20
    图1.区域特征。
    图2.导通电阻变化与
    漏电流和栅极电压。
    1.6
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    R
    DS （ ON）
    ，导通电阻（ OHM ）
    0.08
    I
    D
    = 6A
    V
    GS
    = 10.0V
    1.4
    I
    D
    = 3A
    0.07
    0.06
    0.05
    T
    A
    = 125
    o
    C
    0.04
    0.03
    T
    A
    = 25
    o
    C
    0.02
    0.01
    1.2
    1
    0.8
    0.6
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    T
    J
    ，结温（
    o
    C)
    125
    150
    2
    4
    6
    8
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    10
    图3.导通电阻变化与
    温度。
    图4.导通电阻变化与
    栅极 - 源极电压。
    20
    100
    I
    S
    ，反向漏电流（ A）
    V
    DS
    = 5V
    V
    GS
    = 0V
    10
    T
    A
    = 125
    o
    C
    16
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    1
    12
    T
    A
    = 125
    o
    C
    -55
    o
    C
    0.1
    25
    o
    C
    8
    25
    o
    C
    4
    0.01
    -55
    o
    C
    0.001
    0
    1.5
    2
    2.5
    3
    3.5
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    4
    0.0001
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1
    V
    SD
    ，体二极管正向电压（ V）
    1.2
    图5.传输特性。
    图6.体二极管正向电压的变化
    与源电流和温度。
    FDS6912A版本D（ W）

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