FDS6912A
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
∆T
J
I
DSS
I
GSS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
µA
I
D
= 250
µA,
参考25 ℃下
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55°C
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250
µA
I
D
= 250
µA,
参考25 ℃下
V
GS
= 10 V，I
D
= 6 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 6 A，T
J
= 125°C
V
GS
= 10 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 10 V,
I
D
= 6 A
民
30
典型值
最大单位
V
开关特性
25
1
10
±100
毫伏/°C的
µA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
∆V
GS （ TH）
∆T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
1
1.9
–4.5
19
24
27
3
V
毫伏/°C的
28
35
44
mΩ
I
D（上）
g
FS
20
25
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
（注2 ）
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
575
145
65
2.1
pF
pF
pF
Ω
V
GS
= 15 mV时， F = 1.0 MHz的
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
Ω
8
5
23
3
16
10
37
6
8.1
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 5 V
I
D
= 6 A,
5.8
1.7
2.1
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,
I
F
= 6 A,
I
S
= 1.3 A
（注2 ）
1.3
0.75
20
10
1.2
A
V
nS
nC
d
iF
/d
t
= 100 A / μs的
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。 ř
θJC
由设计而ř
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 78 ° C / W时，
2
安装在0.5英寸
2盎司纯铜垫
B） 125 ° C / W时，
安装在0.02
in
2
的2盎司垫
铜
C） 135 ° C / W安装在一个时
最小的安装盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDS6912A版本D（ W）
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
