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FDS6898A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: FDS6898A
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内容描述: 双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET [Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 82 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS6898A
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
∆T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏,正向
门体泄漏,反向
(注2 )
测试条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
µA
I
D
= 250
µA,
参考25 ℃下
V
DS
= 16 V,
V
GS
= 12 V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
20
典型值
最大单位
V
毫伏/°C的
1
100
–100
µA
nA
nA
开关特性
21
V
GS
= –12 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250
µA
I
D
= 250
µA,
参考25 ℃下
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 9.4 A
V
GS
= 2.5 V,I
D
= 8.3 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 9.4 A,T
J
= 125°C
V
GS
= 4.5V,
V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V,
I
D
= 9.4 A
基本特征
V
GS ( TH)
∆V
GS ( TH)
∆T
J
R
DS ( ON)
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
0.5
1
–3.5
10
13
14
1.5
V
毫伏/°C的
mΩ
14
18
21
I
D(上)
g
FS
19
47
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
(注2 )
V
DS
= 10 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
1821
440
208
pF
pF
pF
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= 10 V,
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 1 A,
R
= 6
10
15
34
16
20
27
55
29
23
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 10 V,
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 9.4 A,
16
3
4
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
V
GS
= 0 V,
I
S
= 1.3 A
(注2 )
1.3
0.7
1.2
A
V
注意事项:
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻,其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。 ř
θJC
由设计而ř
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一) 78 ° C / W时,
2
安装在0.5英寸
2盎司纯铜垫
B) 125 ° C / W时,
安装在0.02
2
在2盎司垫
C) 135 ° C / W安装在一个时
最小的安装盘。
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2.
脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 %
3.
连接在栅极和源极之间的二极管只作为防止静电放电。没有门的过电压额定值暗示
FDS6898A版本C ( W)