FDS6898A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDS6898A
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内容描述：	双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET [Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 82 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FDS6898A

2001年10月

FDS6898A

双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench

MOSFET

概述

这些N沟道逻辑电平MOSFET产生

运用

飞兆半导体

安森美半导体

先进

已特别定制的PowerTrench工艺

最大限度地减少通态电阻，但保持

出色的开关性能。

这些装置非常适用于低电压和

电池供电应用的低线供电

损耗和快速开关是必需的。

特点

•

9.4 A， 20 V

DS （ ON）

• 14毫欧@ V

= 4.5 V

DS （ ON）

= 18毫欧@ V

= 2.5 V

•

低栅极电荷（ 16 NC典型值）

•

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

•

高功率和电流处理能力

SO-8

销1

SO-8

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

= 25°C除非另有说明

参数

评级

（注1A ）

单位

9.4

功耗双操作

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

1.6

0.9

-55到+150

°C

, T

英镑

工作和存储结温范围

热特性

θJA

θJC

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDS6898A

设备

FDS6898A

带尺寸

13’’

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

FDS6898A版本C （ W）

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