FDS6875 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDS6875
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内容描述：	双P沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET [Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
文件页数/大小：	8 页 / 196 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

典型电气特性

- I

，漏源电流（A ）

漏源导通电阻

= -4.5V

-3.0V

-2.5V

DS （ ON）

归一化

2.5

-2.0V

= -2.0V

1.5

-2.5 V

-3.0 V

-3.5 V

-4.5V

0.6

1.2

1.8

2.4

- V

，漏源电压（V ）

0.5

- I

，漏电流（ A）

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与

戴恩电流和栅极电压。

0.1

DS （ ON）

导通电阻（ OHM ）

1.6

漏源导通电阻

1.4

= -6A

= -4.5V

= -3.0A

0.08

DS （ ON）

归一化

1.2

0.06

0.04

T A = 125°C

0.8

0.02

25° C

0.6

-50

-25

100

125

150

-V

T，结温（ ° C）

，门源电压（ V）

图3.导通电阻变化

温度。

同

图4.导通电阻变化与

栅极 - 源极电压。

= -5.0V

- I

，漏电流（ A）

TJ = -55°C

25° C

125° C

- I

，反向漏电流（ A）

= 0V

T = 125°C

25° C

0.1

-55° C

0.01

0.5

0.001

1.5

2.5

0.3

0.6

0.9

1.2

- V

，门源电压（ V）

- V

，体二极管正向电压（ V）

图5.传输特性。

图6.体二极管正向电压

变化与源电流

和温度。

FDS6875 Rev.C

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