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型号：	FDS6875
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内容描述：	双P沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET [Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
文件页数/大小：	8 页 / 196 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

1998年11月

FDS6875

双P沟道2.5V指定的PowerTrench

MOSFET

概述

这些P沟道

2.5V指定的MOSFET是

利用飞兆半导体先进的生产

已特别定制的PowerTrench工艺

最大限度地减少通态电阻，但保持低栅极

收取出色的开关性能。

这些装置非常适用于便携式电子

应用：负载开关和电源管理，

电池充电电路和保护电路。

特点

-6 A， -20 V. ř

DS （ ON）

= 0.030

Ω

@ V

= -4.5 V,

DS （ ON）

= 0.040

Ω

@ V

= -2.5 V.

低栅极电荷（ 23nC典型值）。

高性能沟道技术极低

DS （ ON）

高功率和电流处理能力。

SOT-23

SuperSOT

-6

SuperSOT

-8

SO-8

SOT-223

SOIC-16

FD 75

SO-8

针

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流 - 连续

- 脉冲

= 25

C除非另有说明

FDS6875

-20

±8

（注1A ）

单位

-6

-20

功耗双操作

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

1.6

0.9

-55到150

°C

英镑

工作和存储温度范围

热特性

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

FDS6875 Rev.C

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