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    FDS6690A 参数 Datasheet PDF下载

    FDS6690A图片预览
    型号： FDS6690A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 单N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM [Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
    文件页数/大小： 6 页 / 433 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS6690A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS6690A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS6690A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS6690A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS6690A的Datasheet PDF文件第6页  
    FDS6690A
    典型特征
    50
    V
    GS
    = 10V
    40
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    3
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    4.0V
    V
    GS
    = 3.0V
    2.5
    6.0V
    4.5V
    3.5.V
    30
    2
    3.5V
    20
    1.5
    4.0V
    4.5V
    6.0V
    10V
    10
    3.0V
    1
    0
    0
    0.5
    1
    1.5
    V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    2
    0.5
    0
    10
    20
    30
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    40
    50
    图1.区域特征。
    图2.导通电阻变化与
    漏电流和栅极电压。
    0.05
    1.8
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    R
    DS （ ON）
    ，导通电阻（ OHM ）
    1.6
    1.4
    1.2
    1
    0.8
    0.6
    -50
    I
    D
    = 11.0A
    V
    GS
    = 10V
    I
    D
    = 5.5A
    0.04
    0.03
    0.02
    T
    A
    = 125 C
    o
    T
    A
    = 25 C
    0.01
    o
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    T
    J
    ，结温（
    o
    C)
    150
    175
    0
    2
    4
    6
    8
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    10
    图3.导通电阻变化与
    温度。
    50
    图4.导通电阻变化与
    栅极 - 源极电压。
    100
    I
    S
    ，反向漏电流（ A）
    V
    DS
    = 5V
    40
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    V
    GS
    = 0V
    10
    1
    0.1
    0.01
    0.001
    T
    A
    = 125 C
    o
    30
    25 C
    o
    20
    T
    A
    = 125 C
    10
    o
    25 C
    -55 C
    o
    o
    -55 C
    o
    0
    1
    1.5
    2
    2.5
    3
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    3.5
    4
    0.0001
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1
    V
    SD
    ，体二极管正向电压（ V）
    1.2
    图5.传输特性。
    图6.体二极管正向电压的变化
    与源电流和温度。
    FDS6690A版本E1 （ W）

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