FDS6690A 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDS6690A
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内容描述：	单N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM [Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小：	6 页 / 433 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FDS6690A

二月

2007

FDS6690A

单N沟道逻辑电平，的PowerTrench

MOSFET

概述

这N沟道逻辑电平MOSFET产生

运用

飞兆半导体

安森美半导体

先进

已特别定制的PowerTrench工艺

最大限度地减少通态电阻，但保持

出色的开关性能。

这些装置非常适用于低电压和

电池供电应用的低线供电

损耗和快速开关是必需的。

特点

•

11 A， 30 V

DS （ ON）

= 12.5毫欧@ V

= 10 V

DS （ ON）

= 17.0毫欧@ V

= 4.5 V

•

开关速度快

•

低栅电荷

•

高性能沟道技术极

低R

DS （ ON）

•

高功率和电流处理能力

SO-8

销1

SO-8

=25

C除非另有说明

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

, T

英镑

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

参数

评级

±20

（注1A ）

单位

°C

2.5

1.0

-55到+150

功率消耗单操作

单脉冲雪崩能量

（注1A ）

（注1B ）

（注3）

工作和存储结温范围

热特性

θJA

θJC

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1B ）

（注1 ）

125

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDS6690A

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

设备

FDS6690A

带尺寸

13’’

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

FDS6690A版本E1 （ W）

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