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FDS6680AS 参数 Datasheet PDF下载

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型号: FDS6680AS
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内容描述: 30V N沟道的PowerTrench SyncFET [30V N-Channel PowerTrench SyncFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 807 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS6680AS
30V N沟道的PowerTrench
®
SyncFET ™
典型特征
50
V
GS
= 10V
4.0V
3.5V
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
2
V
GS
= 3.0V
40
I
D
,漏电流( A)
6.0V
4.5V
3.0V
1.8
1.6
3.5V
4.0V
1.2
4.5V
5.0V
6.0V
1
10.0V
30
1.4
20
10
2.5V
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
DS
,漏源电压(V )
2
0.8
0
10
20
30
I
D
,漏电流( A)
40
50
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.05
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
1.4
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 11.5A
V
GS
= 10V
I
D
= 6A
0.04
1.2
0.03
1
0.02
T
A
= 125 C
o
0.8
0.01
T
A
= 25 C
0
o
0.6
-50
-25
0
25
50
o
T
J
,结温( C)
75
100
2
4
6
8
V
GS
,门源电压( V)
10
图3.导通电阻变化与
温度。
50
V
DS
= 5V
I
S
,反向漏电流( A)
40
I
D
,漏电流( A)
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
10
V
GS
= 0V
1
T
A
= 125
o
C
0.1
25
o
C
0.01
-55 C
0.001
o
30
o
20
T
A
= 125 C
-55
o
C
10
25 C
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
V
GS
,门源电压( V)
4
o
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
V
SD
,体二极管正向电压( V)
0.8
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS6680AS冯B2 ( X)