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    FDS6680AS 参数 Datasheet PDF下载

    FDS6680AS图片预览
    型号： FDS6680AS
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 30V N沟道的PowerTrench SyncFET [30V N-Channel PowerTrench SyncFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 807 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS6680AS的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS6680AS的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS6680AS的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS6680AS的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS6680AS的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS6680AS的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDS6680AS的Datasheet PDF文件第8页  
    FDS6680AS
    30V N沟道的PowerTrench
    ®
    SyncFET ™
    电气特性
    符号
    BV
    DSS
    ΔBV
    DSS
    ∆T
    J
    I
    DSS
    I
    GSS
    T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    参数
    漏源击穿电压
    击穿电压温度
    系数
    零栅极电压漏极电流
    门体漏
    （注2 ）
    测试条件
    V
    GS
    = 0 V，I
    D
    = 1毫安
    I
    D
    = 10毫安，引用至25℃
    V
    DS
    = 24 V,
    V
    GS
    =
    ±20
    V,
    V
    GS
    = 0 V
    V
    DS
    = 0 V
    民
    30
    典型值
    最大
    单位
    V
    开关特性
    26
    500
    ±100
    毫伏/°C的
    µA
    nA
    基本特征
    V
    GS （ TH）
    ∆V
    GS （ TH）
    ∆T
    J
    R
    DS （ ON）
    栅极阈值电压
    栅极阈值电压
    温度COEF网络cient
    静态漏源
    导通电阻
    通态漏电流
    正向跨导
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 1毫安
    I
    D
    = 10毫安，引用至25℃
    V
    GS
    = 10 V,
    I
    D
    = 11.5 A
    V
    GS
    = 4.5 V,
    I
    D
    = 9.5 A
    V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 11.5A ，T
    J
    =125°C
    V
    GS
    = 10 V,
    V
    DS
    = 15 V,
    V
    DS
    = 5 V
    I
    D
    = 11.5 A
    1
    1.5
    –4
    8.4
    10.3
    12.3
    3
    V
    毫伏/°C的
    10.0
    12.5
    15.5
    mΩ
    I
    D（上）
    g
    FS
    50
    48
    A
    S
    动态特性
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    R
    G
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    栅极电阻
    （注2 ）
    V
    DS
    = 15 V,
    F = 1.0 MHz的
    V
    GS
    = 15 mV时，
    V
    GS
    = 0 V,
    1240
    350
    120
    pF
    pF
    pF
    Ω
    F = 1.0 MHz的
    1.4
    开关特性
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    （ TOT ）
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    导通延迟时间
    开启上升时间
    关断延迟时间
    关断下降时间
    导通延迟时间
    开启上升时间
    关断延迟时间
    关断下降时间
    9
    V
    DS
    = 15 V,
    V
    GS
    = 10 V,
    I
    D
    = 1 A,
    R
    根
    = 6
    Ω
    5
    27
    11
    11
    V
    DS
    = 15 V,
    V
    GS
    = 4.5 V,
    I
    D
    = 1 A,
    R
    根
    = 6
    Ω
    12
    18
    11
    22
    V
    DD
    = 15 V,
    I
    D
    = 11.5 A,
    12
    3.5
    3.4
    18
    10
    42
    21
    20
    22
    32
    20
    30
    16
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    nC
    总栅极电荷在VGS = 10V
    总栅极电荷在VGS = 5V
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    FDS6680AS冯B2 （ X）

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