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    FDS6680A_12 参数 Datasheet PDF下载

    FDS6680A_12图片预览
    型号： FDS6680A_12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 单N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrench® [Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench® MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 202 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS6680A_12的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS6680A_12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS6680A_12的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS6680A_12的Datasheet PDF文件第5页  
    FDS6680A
    典型特征
    50
    2.2
    V
    GS
    = 10V
    4.0V
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    2
    V
    GS
    = 3.5V
    1.8
    1.6
    1.4
    1.2
    1
    0.8
    4.0V
    4.5V
    5.0V
    6.0V
    10V
    40
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    6.0V
    4.5V
    3.5V
    30
    20
    10
    3.0V
    0
    0
    0.5
    1
    1.5
    V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    2
    0
    10
    20
    30
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    40
    50
    图1.区域特征。
    图2.导通电阻变化与
    漏电流和栅极电压。
    0.03
    R
    DS （ ON）
    ，导通电阻（ OHM ）
    1.6
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    I
    D
    = 12.5A
    V
    GS
    = 10V
    I
    D
    = 6.2A
    0.025
    1.4
    1.2
    0.02
    T
    A
    = 125
    o
    C
    0.015
    1
    0.8
    0.01
    T
    A
    = 25
    o
    C
    0.005
    0.6
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    T
    J
    ，结温（
    o
    C)
    125
    150
    2
    4
    6
    8
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    10
    图3.在- ANCE抵抗与变化
    温度。
    50
    图4.导通电阻变化与
    栅极 - 源极电压。
    100
    I
    S
    ，反向漏电流（ A）
    V
    DS
    = 5V
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    40
    V
    GS
    = 0V
    10
    T
    A
    = 125
    o
    C
    1
    25
    o
    C
    30
    T
    A
    = 125 C
    20
    o
    -55 C
    o
    0.1
    -55
    o
    C
    0.01
    0.001
    0.0001
    10
    25 C
    0
    1.5
    2
    2.5
    3
    3.5
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    4
    o
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1
    V
    SD
    ，体二极管正向电压（ V）
    1.2
    图5.传输特性。
    图6.体二极管正向电压的变化
    与源电流和温度。
    FDS6680A版本F2 （ W）

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