FDS6680A
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
∆T
J
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
∆V
GS （ TH）
∆T
J
R
DS （ ON）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体漏
（注2 ）
测试条件
V
GS
= 0 V,
I
D
= 250
µA
民
30
典型值
最大单位
V
开关特性
I
D
= 250
µA,
参考25 ℃下
V
DS
= 24 V,
V
GS
=
±20
V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
1
2
–4.9
7.8
9.9
11.0
25
64
1620
380
160
V
GS
= 15 mV时，
（注2 ）
25
1
10
±100
3
毫伏/°C的
µA
µA
nA
V
毫伏/°C的
9.5
13
15
mΩ
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
=55°C
基本特征
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
I
D
= 250
µA
V
DS
= V
GS
,
I
D
= 250
µA,
参考25 ℃下
V
GS
= 10 V,
I
D
= 12.5 A
I
D
= 10.5 A
V
GS
= 4.5 V,
V
GS
= 10 V，I
D
= 12.5 A，T
J
=125°C
V
GS
= 10 V,
V
DS
= 15 V,
V
DS
= 5 V
I
D
= 12.5 A
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
A
S
pF
pF
pF
Ω
19
10
43
27
23
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
2.1
0.73
28
18
1.2
A
V
ns
nC
动态特性
V
DS
= 15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
1.3
10
5
27
15
开关特性
V
DD
= 15 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 1 A,
R
根
= 6
Ω
V
DS
= 15 V,
V
GS
= 5 V
I
D
= 12.5 A,
16
5
5.8
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
（注2 ）
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.1 A
电压
二极管的反向恢复时间
I
F
= 12.5 A，D
iF
/d
t
= 100 A / μs的
二极管的反向恢复电荷
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。 ř
θJC
由设计而ř
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 50℃ / W的时
2
安装在一个1英寸
2盎司纯铜垫
B） 105 ° C / W时，
安装在一个0.04
2
2盎司纯铜垫
C）安装时， 125 ° C / W
上的最小垫。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
FDS6680A版本F2 （ W）
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
