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FDS6679 参数 Datasheet PDF下载

FDS6679图片预览
型号: FDS6679
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内容描述: 30伏P沟道PowerTrench MOSFET [30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 5 页 / 70 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS6679
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
∆T
J
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏,正向
门体泄漏,反向
(注2 )
测试条件
V
GS
= 0 V,I
D
= –250
µA
I
D
= –250
µA,
参考25 ℃下
V
DS
= –24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= –25 V,
V
DS
= 0 V
V
GS
= –25 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
µA
I
D
= –250
µA,
参考25 ℃下
V
GS
= –10 V,
I
D
= –13 A
V
GS
= -4.5 V,I
D
= –11 A
V
GS
= -10 V,I
D
= -13 ,T
J
=125°C
V
GS
= –10 V,
V
DS
= –5 V
V
DS
= –5 V,
I
D
= –13 A
–30
典型值
最大单位
V
开关特性
–23
–1
100
–100
毫伏/°C的
µA
nA
nA
基本特征
V
GS ( TH)
∆V
GS ( TH)
∆T
J
R
DS ( ON)
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
–1
–1.6
5
7.3
10
9.5
–3
V
毫伏/°C的
9
13
13
mΩ
I
D(上)
g
FS
–50
44
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
(注2 )
V
DS
= –15 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
3939
972
498
pF
pF
pF
开关特性
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= –15 V,
V
GS
= –10 V,
I
D
= –1 A,
R
= 6
19
10
110
65
34
20
176
104
100
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= –15 V,
V
GS
= –10 V
I
D
= –13 A,
71
12
15
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
注意事项:
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻,其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。 ř
θJC
由设计而ř
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
V
GS
= 0 V,I
S
= –2.1 A
电压
–2.1
(注2 )
A
V
–0.7
–1.2
一) 50℃/ W( 10秒)
62.5 ° C / W稳定状态
安装在一个时
1in
2
的2盎司垫
B) 105 ° C / W时,
2
安装在一个0.04
2盎司纯铜垫
C) 125°C / W安装在一个时
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 : 1规模
2.
脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ,占空比< 2.0 %
FDS6679版本C ( W)