FDS6679
2001年5月
FDS6679
30伏P沟道PowerTrench
®
MOSFET
概述
这种P沟道MOSFET的设计
具体而言，以提高直流/直流整体效率
使用同步或传统转换器
开关PWM控制器和电池充电器。
这些MOSFET的开关速度和更低的
比其他的MOSFET具有可比性的栅极电荷
R
DS （ ON）
特定连接的阳离子。
其结果是一个MOSFET，很容易和更安全的驾驶
（即使是在非常高的频率） ，并且DC / DC电力
电源设计具有更高的整体效率。
特点
•
-13 ， -30 V. ř
DS （ ON）
= 9毫欧@ V
GS
= –10 V
R
DS （ ON）
= 13毫欧@ V
GS
= – 4.5 V
•
扩展V
GSS
范围（ -25V ）电池应用
•
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
•
高功率和电流处理能力
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
–30
（注1A ）
单位
V
V
A
W
±25
–13
–50
2.5
1.2
1.0
-55到+175
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJ
C
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
50
25
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6679
设备
FDS6679
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
©2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS6679版本C （ W）
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
