FDS6676S 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDS6676S
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内容描述：	30V N沟道的PowerTrench剖SyncFET [30V N-Channel PowerTrench? SyncFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 122 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FDS6676S

典型特征

（续）

SyncFET肖特基体二极管

特征

飞兆半导体的SyncFET过程中嵌入一个肖特基二极管

用的PowerTrench MOSFET并联。该二极管的展品

相似的特性的离散外部肖特基

二极管与MOSFET并联。图12示出了

该FDS6676S的反向恢复特性。

肖特基势垒二极管具有显著泄漏高

温度和高的反向电压。这将增加

在该装置的功率。

DSS

，反向漏电流（ A）

0.1

= 125

0.01

= 100

0.001

= 25

0.0001

电流： 0.8A / DIV

0.00001

，反向电压（V）的

时间： 12.5nS / DIV

典型吨

： 31ns

典型我

: 1.8A

图14. SyncFET体二极管的反向

漏与漏 - 源电压和

温度。

图12. FDS6676S SyncFET体二极管

的反向恢复特性。

为了便于比较，图13显示了相反的

的体二极管的恢复特性

无SyncFET生产规模相当于MOSFET

(FDS6676).

电流： 0.8A / DIV

时间： 12.5nS / DIV

典型吨

： 31ns

典型我

: 2.4A

图13.非SyncFET （ FDS6676 ）体

二极管的反向恢复特性。

FDS6676S冯F1 （ W）

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