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    FDS6676S 参数 Datasheet PDF下载

    FDS6676S图片预览
    型号： FDS6676S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 30V N沟道的PowerTrench剖SyncFET [30V N-Channel PowerTrench? SyncFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 6 页 / 122 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS6676S的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS6676S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS6676S的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS6676S的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS6676S的Datasheet PDF文件第6页  
    FDS6676S
    典型特征
    50
    4.5V
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    40
    3.5V
    2.5V
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    V
    GS
    = 10V
    3.0V
    2.4
    2.2
    2
    V
    GS
    = 2.5V
    1.8
    1.6
    1.4
    1.2
    1
    0.8
    30
    20
    3.0V
    3.5V
    4.5V
    10V
    10
    0
    0
    0.5
    1
    1.5
    V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    图1.区域特征。
    图2.导通电阻变化与
    漏电流和栅极电压。
    0.016
    R
    DS （ ON）
    ，导通电阻（ OHM ）
    1.6
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    I
    D
    = 14.5A
    V
    GS
    =10V
    1.4
    I
    D
    = 7.3 A
    0.014
    0.012
    0.01
    1.2
    1
    T
    A
    = 125
    o
    C
    0.008
    0.006
    0.8
    T
    A
    = 25
    o
    C
    0.6
    -55
    -35
    -15
    5
    25
    45
    65
    o
    0.004
    85
    105
    120
    2
    4
    6
    8
    10
    T
    J
    ，结温（ C）
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    图3.导通电阻变化与
    温度。
    50
    图4.导通电阻变化与
    栅极 - 源极电压。
    100
    V
    DS
    = 5V
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    40
    I
    S
    ，反向漏电流（ A）
    10
    V
    GS
    = 0V
    30
    1
    T
    A
    = 125
    o
    C
    T
    A
    = 125
    o
    C
    20
    25
    o
    C
    0.1
    25 C
    10
    o
    -55
    o
    C
    0.01
    -55 C
    0
    1
    1.5
    2
    2.5
    3
    o
    0.001
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    V
    SD
    ，体二极管正向电压（ V）
    0.8
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    图5.传输特性。
    图6.体二极管正向电压的变化
    与源电流和温度。
    FDS6676S冯F1 （ W）

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