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    FDS6375 参数 Datasheet PDF下载

    FDS6375图片预览
    型号： FDS6375
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 单P沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET [Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 8 页 / 196 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS6375的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS6375的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS6375的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDS6375的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS6375的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS6375的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDS6375的Datasheet PDF文件第8页  
    FDS6375
    典型特征
    5
    -V
    GS
    ，栅源电压（V ）
    I
    D
    = -8.0A
    （续）
    3500
    3000
    CAPAACITANCE （PF ）
    V
    DS
    = -5V
    -10V
    -15V
    2500
    C
    国际空间站
    2000
    1500
    1000
    500
    C
    OSS
    C
    RSS
    F = 1 MHz的
    V
    GS
    = 0V
    4
    3
    2
    1
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    0
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    QG ，栅极电荷（ NC）
    -V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    图7.栅极电荷特性。
    图8.电容特性。
    100
    R
    DS （ ON）
    极限
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    10ms
    10
    100ms
    功率（W）的
    50
    100
    µ
    s
    40
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    = 125℃ / W
    T
    A
    =25 C
    30
    o
    o
    1s
    10s
    1
    DC
    20
    0.1
    V
    GS
    = -4.5V
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    = 125℃ / W
    T
    A
    = 25 C
    o
    o
    10
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    0
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    1000
    -V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    单脉冲时间（秒）
    图9.最高安全工作区。
    图10.单脉冲最大
    功耗。
    1
    瞬态热阻
    0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    0.005
    0.002
    0.001
    0.0001
    0.001
    0.01
    0.1
    t
    1
    ，时间（秒）
    1
    10
    D = 0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    P（ PK）
    0.02
    0.01
    单脉冲
    R（T ） ，规范有效
    R
    θ
    JA
    （吨） = R （t）的R *
    θ
    JA
    R
    θ
    JA
    = 125°C / W
    t
    1
    t
    2
    T
    J
    - T
    A
    = P * R
    θ
    JA （T ）
    占空比D = T
    1
    /t
    2
    100
    300
    图11.瞬态热响应曲线。
    热特性进行使用注1c中所述的条件。
    瞬态themal响应将取决于电路板的设计变化。
    FDS6375版本C

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