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    FDS6375 参数 Datasheet PDF下载

    FDS6375图片预览
    型号： FDS6375
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 单P沟道2.5V指定PowerTrenchTM MOSFET [Single P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 8 页 / 196 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS6375的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS6375的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS6375的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDS6375的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDS6375的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FDS6375的Datasheet PDF文件第7页浏览型号FDS6375的Datasheet PDF文件第8页  
    FDS6375
    典型特征
    50
    V
    GS
    = -4.5V
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    40
    -3.5V
    -2.5V
    30
    2.5
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    2
    1.5
    V
    GS
    = -2.5V
    -3.0V
    -3.5V
    20
    -2.0V
    10
    -1.5V
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    1
    -4.5V
    0.5
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    -V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    图1.区域特征。
    图2.导通电阻变化
    与漏极电流和栅极电压。
    0.1
    I
    D
    = -4A
    0.08
    1.6
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    I
    D
    = -8A
    V
    GS
    = -10V
    R
    DS （ ON）
    ，导通电阻（ OHM ）
    1.4
    1.2
    0.06
    1
    0.04
    T
    J
    = 125 C
    0.02
    25 C
    o
    o
    0.8
    0.6
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    o
    0
    125
    150
    1
    1.5
    2
    2.5
    3
    3.5
    4
    4.5
    5
    T
    J
    ，结温（ C）
    -V
    GS
    ，门源电压（ V）
    图3.导通电阻变化
    与温度。
    20
    V
    DS
    = -5V
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    16
    o
    图4.导通电阻变化
    同门 - 源电压。
    100
    -I
    S
    ，反向漏电流（ A）
    T
    J
    = -55 C
    o
    V
    GS
    = 0
    10
    1
    0.1
    0.01
    0.001
    0.0001
    T
    J
    =125 C
    25 C
    -55 C
    o
    o
    o
    25 C
    125 C
    o
    12
    8
    4
    0
    0.5
    1
    1.5
    2
    2.5
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1
    1.2
    -V
    GS
    ，门源电压（ V）
    -V
    SD
    ，体二极管电压（ V）
    图5.传输特性。
    图6.体二极管正向电压
    变化与源电流
    和温度。
    FDS6375版本C

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