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    FDS4435BZ 参数 Datasheet PDF下载

    FDS4435BZ图片预览
    型号： FDS4435BZ
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 30伏P沟道PowerTrench MOSFET [30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET]
    分类和应用： 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
    文件页数/大小： 4 页 / 95 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDS4435BZ的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDS4435BZ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDS4435BZ的Datasheet PDF文件第4页  
    FDS4435BZ
    典型特征
    50
    V
    GS
    = -10V
    40
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    -6.0V
    30
    -5.0V
    3
    V
    GS
    = -3.5V
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    -4.5V
    2.6
    2.2
    -4.0V
    -4.0V
    1.8
    -4.5V
    -5.0V
    20
    -3.5V
    10
    -3.0V
    0
    0
    1
    2
    3
    -V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    4
    1.4
    -6.0V
    -8.0V
    -10V
    1
    0.6
    0
    10
    20
    30
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    40
    50
    图1.区域特征。
    图2.导通电阻变化与
    漏电流和栅极电压。
    0.08
    1.6
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    R
    DS （ ON）
    ，导通电阻（ OHM ）
    I
    D
    = -8.8A
    V
    GS
    = -10V
    I
    D
    = -4.4A
    0.06
    1.4
    1.2
    T
    A
    = 125 C
    0.04
    T
    A
    = 25
    o
    C
    0.02
    o
    1
    0.8
    0.6
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    o
    T
    J
    ，结温（ C）
    125
    150
    0
    2
    4
    6
    8
    -V
    GS
    ，门源电压（ V）
    10
    图3.导通电阻变化与
    温度。
    50
    图4.导通电阻变化与
    栅极 - 源极电压。
    100
    -I
    S
    ，反向漏电流（ A）
    V
    DS
    = -5V
    -I
    D
    ，漏电流（ A）
    40
    V
    GS
    = 0V
    10
    T
    A
    = 125
    o
    C
    30
    1
    25
    o
    C
    20
    T
    A
    = 125
    o
    C
    0.1
    -55 C
    o
    -55
    o
    C
    10
    25
    o
    C
    0
    2
    2.5
    3
    3.5
    4
    4.5
    -V
    GS
    ，门源电压（ V）
    5
    0.01
    0.001
    0
    0.4
    0.8
    1.2
    -V
    SD
    ，体二极管正向电压（ V）
    1.6
    图5.传输特性。
    图6.体二极管正向电压的变化
    与源电流和温度。
    FDS4435BZ版本B （ W）

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