FDS4435BZ
2005年7月
FDS4435BZ
30伏P沟道PowerTrench
®
MOSFET
概述
这种P沟道MOSFET采用飞兆半导体生产
®
安森美半导体先进的PowerTrench过程
已特别是针对减少导通状态
性。
这个装置是非常适合的电源管理和
在笔记本电脑常见的负载切换应用程序
电脑和便携式电池组。
特点
•
-8.8 A， -30 V. ř
DS （ ON）
= 20毫欧@ V
GS
= –10 V
R
DS （ ON）
= 35毫欧@ V
GS
= – 4.5 V
•
扩展V
GSS
范围（ -25V ）电池应用
•
的± 4.5千伏典型的HBM ESD保护电平（注3）
•
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
•
高功率和电流处理能力
•
终止是无铅和符合RoHS
D
D
D
D
5
6
4
3
2
1
SO-8
S
S
S
G
7
8
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
–30
±25
（注1A ）
单位
V
V
A
W
–8.8
–50
2.5
1.2
1.0
-55到+150
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
50
25
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS4435BZ
设备
FDS4435BZ
带尺寸
13’’
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
©2005
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS4435BZ版本B （ W）
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
