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FDS2734 参数 Datasheet PDF下载

FDS2734图片预览
型号: FDS2734
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内容描述: N沟道UItraFET沟槽MOSFET 250V , 3.0A , 117mohm [N-Channel UItraFET Trench MOSFET 250V, 3.0A, 117mohm]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 385 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDS2734单N沟道UItraFET海沟
®
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 ° C除非另有说明
10
8
V
DD
= 50V
V
DD
= 125V
V
GS
,门源电压( V)
5000
西塞
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
6
4
2
0
V
DD
= 200V
电容(pF)
1000
科斯
100
CRSS
0
10
20
30
Q
g
,栅极电荷( NC)
40
10
0.1
1
10
V
DS
,漏源极电压( V)
100
图7.栅极电荷特性
10
I
AS
,雪崩电流( A)
图8.电容VS漏源极电压
3.5
3.0
I
D
,漏电流( A)
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
25
R
θ
JA
= 50
o
C / W
V
GS
= 6V
V
GS
= 10V
T
J
= 25
o
C
1
T
J
= 125
o
C
0.1
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
50
75
100
125
150
t
AV
,一次雪崩(毫秒)
T
A
,环境
温度
(
o
C
)
图9.松开电感开关
能力
10
I
D
,漏电流( A)
2
图10.最大连续漏极电流与
环境温度
P
(
PK
)
,瞬态峰值功率( W)
10
4
10us
T
A
= 25
o
C
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
10
10
10
10
10
1
10
3
当前,如下所示:
0
I = I
25
1ms
10ms
100ms
1s
操作在此
区域可以
限于由R
DS ( ON)
-1
150
T
A
-----------------------
-
125
10
2
-1
V
GS
= 10V
-2
-3
单脉冲
T
J
=最大额定
T
A
= 25
o
C
DC
10
1
单脉冲
10
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-3
10
0
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
V
DS
,漏源极电压( V)
T,脉冲宽度( S)
图11 。
正向偏置安全工作区
图12.单脉冲最大功率
耗散
4
FDS2734版本B
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