FDS2734 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDS2734
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内容描述：	N沟道UItraFET沟槽MOSFET 250V ， 3.0A ， 117mohm [N-Channel UItraFET Trench MOSFET 250V, 3.0A, 117mohm]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 385 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

FDS2734单N沟道UItraFET海沟

MOSFET

2006年8月

FDS2734

N沟道UItraFET海沟

MOSFET

250V ， 3.0A ， 117mΩ

特点

最大ř

DS （ ON）

= 117mΩ在V

= 10V ，我

= 3.0A

最大ř

DS （ ON）

= 126mΩ在V

= 6V ，我

= 2.8A

开关速度快

高性能沟道

低R

DS （ ON）

技术

极

一般说明

这种单N沟道MOSFET使用产生

飞兆半导体的先进UItraFET海沟

已特别针对减少流程

通态电阻，但保持出色的开关

性能。

应用

DC- DC转换器

高功率和电流处理能力

符合RoHS

SO-8

销1

MOSFET的最大额定值

符号

, T

英镑

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流 - 连续

-Pulsed

= 25 ° C除非另有说明

参数

评级

250

±20

（注1A ）

（注3）

（注1A ）

（注1B ）

3.0

12.5

2.5

1.0

-55到150

单位

单脉冲雪崩能量

功耗

工作和存储结温范围

热特性

θJA

θJC

热阻， Junction-来 - 环境

热阻， Junction-到环境

热阻，结 - 到 - 案例

（注1A ）

（注1B ）

（注1 ）

125

C / W

包装标志和订购信息

器件标识

FDS2734

设备

FDS2734

包

SO-8

带尺寸

13’’

胶带宽度

12mm

QUANTITY

2500台

FDS2734版本B

www.fairchildsemi.com

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