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    FDG6303N 参数 Datasheet PDF下载

    FDG6303N图片预览
    型号： FDG6303N
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N通道FET数字 [Dual N-Channel, Digital FET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 413 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDG6303N的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDG6303N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FDG6303N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDG6303N的Datasheet PDF文件第5页  
    典型电气特性
    （续）
    5
    V
    GS
    ，栅源电压（V ）
    200
    I
    D
    = 0.5A
    4
    电容（pF）
    V
    DS
    = 5V
    10V
    15V
    70
    西塞
    30
    3
    科斯
    2
    10
    1
    3
    0.1
    F = 1 MHz的
    V
    GS
    = 0V
    0
    0.4
    0.8
    1.2
    1.6
    2
    0.3
    1
    2
    5
    10
    CRSS
    0
    Q
    g
    ，栅极电荷（ NC）
    25
    V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    图7.栅极电荷特性。
    图8.电容特性。
    3
    IT
    IM
    50
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    1
    0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    0.1
    RD
    S(
    O
    L
    N)
    1m
    s
    10m
    s
    功率（W）的
    40
    10
    0m
    s
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    =415°C/W
    T
    A
    = 25°C
    30
    1s
    V
    GS
    = 4.5V
    单脉冲
    R
    θ
    JA
    = 415 ° C / W
    T
    A
    = 25°C
    1
    V
    DS
    10
    s
    DC
    20
    10
    2
    5
    10
    25
    40
    0
    0.0001
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    10
    200
    ， DRAI N-二源极电压（ V）
    单脉冲时间（秒）
    图9.最高安全工作区。
    图10.单脉冲最大功率
    耗散。
    1
    瞬态热阻
    R（T ） ，规范有效
    0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    0.005
    D = 0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    单脉冲
    P（ PK）
    R
    θ
    JA
    （吨） = R （t）的R *
    θ
    JA
    R
    θ
    JA
    =415
    ° C / W
    t
    1
    t
    2
    T
    J
    - T
    A
    = P * R
    θ
    JA
    (t)
    占空比D = T
    1
    / t
    2
    0.002
    0.0001
    0.001
    0.01
    0.1
    t
    1
    ，时间（秒）
    1
    10
    100
    200
    图11.瞬态热响应曲线。
    热特性进行使用注意事项1所述的条件。
    瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
    FDG6303N Rev.F

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