FDG6303N 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDG6303N
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内容描述：	双N通道FET数字 [Dual N-Channel, Digital FET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 413 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

2001年9月

FDG6303N

双N通道FET数字

概述

这些双N沟道逻辑电平增强模式

场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的

专有的，高密度， DMOS技术。这

非常高密度的工艺特别适合于

最大限度地减少通态电阻。该装置已

特别是对于低电压应用中作为设计

替代双极数字晶体管和小

信号的MOSFET。

特点

25 V ， 0.50连续， 1.5 A峰值。

DS （ ON）

= 0.45

Ω

@ V

= 4.5 V,

DS （ ON）

=0.60

Ω

@ V

= 2.7 V.

非常低的水平栅极驱动要求可直接

在3 V的电路操作（V

GS （ TH）

< 1.5V）。

门源齐纳的ESD耐用性

（ >6kV人体模型）。

紧凑的工业标准SC70-6表面

贴装封装。

SC70-6

SOT-23

SuperSOT

-6

SuperSOT

-8

SO-8

SOT-223

1或4的

6或3

.03

2或5

5或2

SC70-6

3或6

4或1

引脚排列是对称的;管脚1和4可以互换。

在载体内的单位可以是定向的，并且不会影响设备的功能。

绝对最大额定值

符号

参数

= 25 ° C除非另有说明

FDG6303N

单位

DSS

GSS

英镑

ESD

漏源电压

栅源电压

漏/输出电流

- 连续

- 脉冲

最大功率耗散

（注1 ）

- 0.5至+8

0.5

1.5

0.3

-55到150

6.0

°C

工作和存储温度范围

静电放电额定值MIL -STD- 883D

人体模型（ 100 PF / 1500

Ω

)

热阻，结到环境

热特性

θJA

415

° C / W

FDG6303N Rev.F

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