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FDD6612A 参数 Datasheet PDF下载

FDD6612A图片预览
型号: FDD6612A
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内容描述: N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrench⑩ [N-Channel, Logic Level, PowerTrench⑩ MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 6 页 / 123 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDD6612A/FDU6612A
典型特征
60
4.5V
2
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
5.0V
V
GS
= 3.5V
50
I
D
,漏电流( A)
6.0V
40
1.8
1.6
4.0V
4.0V
30
1.4
4.5V
5.0V
6.0V
20
3.5V
1.2
10
3.0V
0
0
1
2
3
V
DS
,漏源极电压( V)
4
1
10V
0.8
0
10
20
I
D
,漏电流( A)
30
40
图1.区域特征
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压
0.06
1.8
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 9.5A
V
GS
= 10V
I
D
= 5 A
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
0.05
1.6
1.4
0.04
1.2
0.03
1
T
A
= 125
o
C
0.8
0.02
T
A
= 25
o
C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
,结温(
o
C)
125
150
0.01
2
4
6
8
V
GS
,门源电压( V)
10
图3.导通电阻变化
withTemperature
60
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压
100
I
S
,反向漏电流( A)
V
DS
= 5V
50
I
D
,漏电流( A)
V
GS
= 0V
10
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
40
1
30
0.1
20
0.01
T
A
= 125
o
C
10
25
o
C
-55
o
C
0.001
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
,门源电压( V)
5
5.5
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
,体二极管正向电压( V)
1.4
图5.传输特性
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度
FDD6612A / FDU6612A版本E( W)