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    FDD6612A 参数 Datasheet PDF下载

    FDD6612A图片预览
    型号： FDD6612A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrench⑩ [N-Channel, Logic Level, PowerTrench⑩ MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
    文件页数/大小： 6 页 / 123 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号FDD6612A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FDD6612A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FDD6612A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FDD6612A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FDD6612A的Datasheet PDF文件第6页  
    FDD6612A/FDU6612A
    电气特性
    符号
    W
    DSS
    I
    AR
    T
    A
    = 25 ° C除非另有说明
    参数
    漏源雪崩能源
    漏源雪崩电流
    测试条件
    单脉冲，V
    DD
    = 27 V，I
    D
    =10 A
    民
    典型值
    最大单位
    51
    10
    mJ
    A
    漏源雪崩额定值
    （注2 ）
    开关特性
    BV
    DSS
    ΔBV
    DSS
    ∆T
    J
    I
    DSS
    I
    GSS
    漏源击穿电压
    击穿电压温度
    系数
    零栅极电压漏极电流
    门体漏
    （注2 ）
    V
    GS
    = 0 V,
    I
    D
    = 250
    µA
    30
    25
    1
    ±100
    V
    毫伏/°C的
    µA
    nA
    I
    D
    = 250
    μA ，引用
    至25℃
    V
    DS
    = 24 V,
    V
    GS
    =
    ±20
    V,
    V
    GS
    = 0 V
    V
    DS
    = 0 V
    基本特征
    V
    GS （ TH）
    ∆V
    GS （ TH）
    ∆T
    J
    R
    DS （ ON）
    栅极阈值电压
    栅极阈值电压
    温度COEF网络cient
    静态漏源
    导通电阻
    正向跨导
    V
    DS
    = V
    GS
    ,
    I
    D
    = 250
    µA
    I
    D
    = 250
    μA ，引用
    至25℃
    V
    GS
    = 10 V,
    V
    GS
    = 4.5 V,
    V
    GS
    = 10 V,
    V
    DS
    = 5 V,
    I
    D
    = 9.5 A
    I
    D
    = 8 A
    I
    D
    = 9.5 A，T
    J
    =125°C
    I
    D
    = 9.5 A
    1
    2.0
    –5.1
    15
    20
    23
    28
    3
    V
    毫伏/°C的
    20
    28
    33
    mΩ
    g
    FS
    S
    动态特性
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    R
    G
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    栅极电阻
    （注2 ）
    660
    V
    DS
    = 15 V,
    F = 1.0 MHz的
    V
    GS
    = 15 mV时，
    V
    GS
    = 0 V,
    170
    90
    F = 1.0 MHz的
    2.3
    pF
    pF
    pF
    Ω
    开关特性
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    导通延迟时间
    开启上升时间
    关断延迟时间
    关断下降时间
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    9
    V
    DD
    = 15 V,
    V
    GS
    = 10 V,
    I
    D
    = 1 A,
    R
    根
    = 6
    Ω
    5
    24
    4
    6.7
    V
    DS
    = 15 V,
    V
    GS
    = 5 V
    I
    D
    = 9.5 A,
    2.1
    2.7
    18
    10
    38
    8
    9.4
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    FDD6612A / FDU6612A版本E（ W）

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