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FDC638P_01 参数 Datasheet PDF下载

FDC638P_01图片预览
型号: FDC638P_01
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内容描述: P沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET [P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 156 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDC638P
典型特征
5
-V
GS
,栅源电压(V )
I
D
= -4.5A
4
V
DS
= -5V
-10V
-15V
1500
C
国际空间站
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
1200
电容(pF)
3
900
2
600
C
OSS
300
1
0
0
3
6
Q
g
,栅极电荷( NC)
9
12
0
0
5
C
RSS
10
15
20
-V
DS
,漏源极电压( V)
图7.栅极电荷特性。
100
R
DS ( ON)
极限
-I
D
,漏电流( A)
10
10ms
100ms
1s
1
DC
V
GS
= -4.5V
单脉冲
R
θJA
= 156
o
C / W
T
A
= 25
o
C
0.01
0.1
1
10
100
-V
DS
,漏源电压(V )
10s
1ms
P( PK) ,峰值瞬态功率( W)
50
图8.电容特性。
40
单脉冲
R
θJA
= 156_C / W
T
A
= 25°C
30
20
0.1
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t
1
,时间(秒)
图9.最高安全工作区。
图10.单脉冲最大
功耗。
R(T ) ,规范有效
瞬态热阻
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
R
θJA
(吨) = R(T) + R
θJA
o
R
θ
JA
= 156℃ / W
P( PK)
t
1
t
2
单脉冲
0.01
T
J
- T
A
= P * R ( T)
θJA
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
100
1000
图11.瞬态热响应曲线。
使用注意事项1b中描述的条件热特性进行
瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
FDC638P版本F( W)