FDC638P
2001年9月
FDC638P
P沟道2.5V的PowerTrench
®
指定MOSFET
概述
这个P
声道2.5V MOSFET指定生产
运用
飞兆半导体
安森美半导体
先进
已特别定制的PowerTrench工艺
最大限度地减少通态电阻，但保持
对于出色的开关性能低栅极电荷
这些装置非常适用于电池供电
应用：负载开关和电源管理，
电池充电电路和DC / DC转换。
特点
•
-4.5 A， -20 V. ř
DS （ ON）
= 48毫欧@ V
GS
= –4.5 V
R
DS （ ON）
= 65毫欧@ V
GS
= –2.5 V
•
低栅极电荷（ 10 NC典型值）
•
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
•
SuperSOT ™ -6包：占地面积小（ 72 ％
比标准的SO- 8小;低调（ 1mm厚）
S
D
D
1
6
5
SuperSOT
-6
TM
G
销1
2
3
D
D
4
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
= 25°C除非另有说明
o
参数
评级
–20
±8
（注1A ）
单位
V
V
A
–4.5
–20
1.6
0.8
-55到+150
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
W
°C
工作和存储结温范围
热特性
R
θJA
R
θJ
C
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
30
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
.638
设备
FDC638P
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
©2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDC638P冯F1 （ W）
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
