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FDB6035AL 参数 Datasheet PDF下载

FDB6035AL图片预览
型号: FDB6035AL
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内容描述: N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM [N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 5 页 / 94 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FDP6035AL/FDB6035AL
典型特征
180
V
GS
= 10V
150
I
D
,漏电流( A)
5.0V
120
4.5V
90
4.0V
60
3.5V
30
3.0V
0
0
1
2
3
4
V
DS
,漏源电压(V )
5
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
6.0V
1.8
V
GS
= 3.5V
3.5V
1.6
1.4
4.0V
4.5V
1.2
5.0V
6.0V
1
10V
0.8
0
20
40
60
I
D
,漏电流( A)
80
100
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.030
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
1.8
R
DS ( ON)
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 24A
V
GS
=10V
I
D
= 24A
0.025
1.6
1.4
0.020
T
A
= 125
o
C
0.015
T
A
= 25 C
0.010
o
1.2
1
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
o
T
J
,结温( C)
150
175
0.005
2
4
6
8
V
GS
,门源电压( V)
10
图3.导通电阻变化与
温度。
90
V
DS
= 5V
75
I
D
,漏电流( A)
I
S
,反向漏电流( A)
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
1000
V
GS
= 0V
100
60
10
T
A
= 125 C
25
o
C
-55
o
C
o
45
T
A
= 125
o
C
30
25
o
C
15
-55
o
C
1
0.1
0.01
0
1.5
2
2.5
3
3.5
V
GS
,门源电压( V)
4
4.5
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
,体二极管正向电压( V)
1.4
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDP6035AL / FDB6035AL版本D( W)