FDP6035AL/FDB6035AL
2003年7月
FDP6035AL/FDB6035AL
N沟道逻辑电平的PowerTrench
®
MOSFET
概述
这N沟道逻辑电平MOSFET一直
专门设计用于改善的总效率
利用DC / DC转换同步或
传统开关PWM控制器。
这些MOSFET的开关速度和更低的
比其他的MOSFET具有可比性的栅极电荷
R
DS （ ON）
特定连接的阳离子。
其结果是一个MOSFET，很容易和更安全的驾驶
（即使是在非常高的频率） ，并且DC / DC电力
电源设计具有更高的整体效率。
它已被优化的低门电荷，低R
DS （ ON）
和快速的开关速度。
特点
•
48 A， 30 V
R
DS （ ON）
= 12毫欧@ V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
• 14毫欧@ V
GS
= 4.5 V
•
在指定临界直流电气参数
高温
•
高性能沟道技术极
低R
DS （ ON）
•
175°C最高结温额定值
D
D
G
G
D
S
TO-220
FDP系列
G
S
TO-263AB
FDB系列
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
T
A
=25
o
C除非另有说明
参数
评级
30
±
20
48
（注1 ）
单位
V
V
A
W
W / ℃，
°C
180
52
0.3
-65到+175
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结温范围
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
2.9
62.5
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDB6035AL
FDP6035AL
设备
FDB6035AL
FDP6035AL
带尺寸
13’’
管
胶带宽度
24mm
不适用
QUANTITY
800个
45
©2003
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDP6035AL / FDB6035AL版本D（ W）
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
