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    BSS123 参数 Datasheet PDF下载

    BSS123图片预览
    型号： BSS123
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 145 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号BSS123的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BSS123的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSS123的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSS123的Datasheet PDF文件第5页  
    BSS123
    典型特征
    10
    V
    GS
    ，栅源电压（V ）
    I
    D
    = 0.17A
    V
    DS
    = 30V
    50V
    100
    F = 1 MHz的
    V
    GS
    = 0 V
    80
    电容（pF）
    8
    70V
    C
    国际空间站
    6
    60
    4
    40
    2
    20
    C
    OSS
    C
    RSS
    0
    0
    0.4
    0.8
    1.2
    1.6
    2
    Q
    g
    ，栅极电荷（ NC）
    0
    0
    20
    40
    60
    80
    100
    V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    图7.栅极电荷特性。
    1
    R
    DS （ ON）
    极限
    1ms
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    10ms
    100ms
    1s
    10s
    DC
    0.01
    V
    GS
    = 10V
    单脉冲
    R
    θJA
    = 350
    o
    C / W
    T
    A
    = 25 C
    0.001
    1
    10
    100
    1000
    V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    o
    图8.电容特性。
    5
    P（ PK） ，峰值瞬态功率（ W）
    单脉冲
    R
    θJA
    = 350 ° C / W
    T
    A
    = 25°C
    100µs
    4
    0.1
    3
    2
    1
    0
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    t
    1
    ，时间（秒）
    10
    100
    1000
    图9.最高安全工作区。
    图10.单脉冲最大
    功耗。
    R（T ） ，规范有效的瞬变
    热阻
    1
    D = 0.5
    0.2
    R
    θJA
    （吨） = R （t）的R *
    θJA
    R
    θJA
    = 350℃ / W
    P（ PK）
    t
    1
    t
    2
    T
    J
    - T
    A
    = P * R
    θJA
    (t)
    占空比D = T
    1
    / t
    2
    o
    0.1
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    0.01
    单脉冲
    0.001
    0.0001
    0.001
    0.01
    0.1
    t
    1
    ，时间（秒）
    1
    10
    100
    1000
    图11.瞬态热响应曲线。
    热特性进行使用注1a中描述的条件。
    瞬态热响应将取决于电路板的设计变化。
    BSS123版本G（ W）

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