BSS123 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BSS123
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内容描述：	N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 145 K
品牌：	FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]

BSS123

2003年6月

BSS123

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

概述

这些N沟道增强型场效应

晶体管采用飞兆半导体专有的，

高密度， DMOS技术。这些产品

的目的是为了最大限度地减少通态电阻

同时提供坚固，可靠，快速切换

performance.These产品特别适用于

低电压，低电流的应用，如小

伺服电机控制，功率MOSFET栅极驱动器，以及

其他开关应用。

特点

•

0.17 A， 100 V ř

DS （ ON）

= 6Ω @ V

= 10 V

DS （ ON）

= 10Ω @ V

= 4.5 V

•

高密度电池设计极低R

DS （ ON）

•

坚固可靠

•

紧凑的工业标准SOT- 23表面贴装

包

SOT-23

= 25°C除非另有说明

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

, T

英镑

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

最大功率耗散

减免上述25℃

参数

评级

100

±20

（注1 ）

单位

毫瓦/°C的

°C

0.17

0.68

0.36

2.8

−55

+150

300

（注1 ）

工作和存储结温范围

最大无铅焊接温度的

目的， 1/16“从案例10秒

热特性

θJA

热阻，结到环境

（注1 ）

350

° C / W

包装标志和订购信息

器件标识

设备

BSS123

带尺寸

7’’

胶带宽度

8mm

QUANTITY

3000台

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION

BSS123版本G（ W）

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