FAN5236 - 双移动友好DDR /双输出PWM控制器
2010年11月
FAN5236
双移动友好DDR /双输出PWM控制器
特点
高度灵活的双同步开关PWM
控制器包括模式为：
描述
该FAN5236 PWM控制器提供高效率
和调节两个输出电压可调的
0.9V至5.5V的范围内所需的电源I / O芯片组，
在高性能的笔记本内存银行
电脑，
掌上电脑，
和
因特网
电器。
同步整流和迟滞的操作
轻负载在宽有助于高效率
负载范围内。迟滞模式可以禁用
分别在每个PWM变换器如果PWM模式
所需的所有负载水平。效率是通过增强
采用MOSFET ř
DS （ ON）
作为电流检测元件
.
前馈斜坡调制，平均电流模式
控制方案，以及内部反馈补偿
提供快速的负载瞬态响应。外的相位
操作与180度相移降低了对输入
电流纹波。该控制器可以被转化成
通过完整的DDR内存电源解决方案
激活指定的引脚。在DDR模式中的一个
通道跟踪另一个通道的输出电压
并提供输出电流接收器和源能力
- 为DDR芯片的正确供电至关重要。该
通过这种类型的所需缓冲基准电压
存储器也被提供。该FAN5236这些监控
输出，并产生不同的PGX （电源良好）
当软启动完成信号，并输出
是在设定点的±10％ 。内置的过电压
保护可防止输出电压从上面去
120％的设定点。正常运行是自动
恢复时的过电压条件下停止。
欠压保护锁存芯片关断时
该软后输出下降到低于设定值的75％
启动顺序，该输出完成。一
可调式过电流功能监视输出
通过检测较低的电压降的电流
MOSFET。如果精确的电流检测是必需的，一个
外部电流检测电阻可以使用。
-
-
-
DDR模式在相操作
减少信道干扰
90°的相移，对于两阶段的DDR模式
降低输入纹波
双独立调节， 180 °相位
移
V
TT
跟踪V
DDQ/2
V
DDQ/2
缓冲基准输出
完整的DDR存储器电源解决方案
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无损电流检测的低边MOSFET或
精密过电流检测用电阻
V
CC
欠压锁定
转换器可从+ 5V或3.3V或操作
电池电源输入（ 5V至24V ）
出色的动态响应与电压
前馈和平均电流模式控制
电源良好信号
支持DDR -II和HSTL
轻载迟滞模式效率最大化
TSSOP28封装
应用
DDR V
DDQ
和V
TT
电压产生
移动PC的双通道稳压器
服务器DDR电源
手持式PC电源
相关资源
应用笔记 - AN- 6002组件
计算和仿真工具为FAN5234或
FAN5236
应用笔记 - AN -1029最大功率
为SO- 8电源增强技术
MOSFET
©2002仙童半导体公司
FAN5236 •版本1.3.2
www.fairchildsemi.com
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
