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型号: BAT54
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内容描述: 双通道DDR /双输出PWM控制器 [Dual DDR / Dual-Output PWM Controller]
分类和应用: 二极管光电二极管双倍数据速率控制器
文件页数/大小: 17 页 / 752 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
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FAN5026 - 双通道DDR /双输出PWM控制器
2011年3月
FAN5026
双通道DDR /双输出PWM控制器
特点
高度灵活的双同步开关PWM
控制器包括模式为:
描述
该FAN5026 PWM控制器提供高效率
和调节两个输出电压可调的
0.9V至5.5V的范围内所需的电源I / O芯片组,
并在高性能计算机存储器区块,
机顶盒和VGA卡。同步
整顿和迟滞的操作在轻负载
向高效率在宽范围的负载。
效率是通过使用MOSFET ř增强
DS ( ON)
作为
电流检测元件。
前馈斜坡调制,平均电流模式
控制和内部反馈补偿提供
快速负载瞬态响应。乱相运行
180度相移降低输入电流
纹波。该控制器可以被转化成
通过完整的DDR内存电源解决方案
激活指定的引脚。在DDR模式中的一个
通道跟踪另一个通道的输出电压
并提供输出电流接收器和源能力
- 为DDR芯片的正确供电至关重要。该
通过这种类型的所需缓冲基准电压
存储器也被提供。该FAN5026这些监控
输出,并产生不同的PGX (电源良好)
当软启动完成信号,并输出
是在设定点的±10% 。
过电压保护器可防止输出电压
从超过设定点的120%。正常工作
自动恢复时的过电压条件
停止。欠压保护锁存芯片关闭
当输出后下降到低于设定值的75%的
该输出软启动序列完成。一
可调式过电流功能监视输出
通过检测较低的电压降的电流
MOSFET。如果精确的电流检测是必需的,一个
外部电流检测电阻可以使用。
-
-
-
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DDR模式在相操作
减少信道干扰
90°的相移,两阶段的DDR模式
为降低输入纹波
双独立调节, 180 °相位
V
TT
跟踪V
DDQ/2
V
DDQ/2
缓冲基准输出
完整的DDR存储器电源解决方案
无损电流检测的低边MOSFET或
精密过电流检测用电阻
V
CC
欠压锁定
宽输入范围: 3V至​​16V
出色的动态响应与电压
前馈和平均电流模式控制
电源良好信号
支持DDR -II和HSTL
28引脚薄小外形封装
应用
DDR V
DDQ
和V
TT
电压产生
PC双电源
服务器DDR电源
桌上型电脑
显卡
相关资源
应用笔记 - AN- 6002组件
计算和仿真工具
订购信息
产品型号
FAN5026MTCX
操作
温度
范围
-40至+ 85°C
28引脚薄小外形封装( TSSOP )
包装方法
磁带和卷轴
©2005仙童半导体公司
FAN5026 •版本1.0.8
www.fairchildsemi.com