FAN5026 - 双通道DDR /双输出PWM控制器
典型用途
图5. DDR稳压器的应用
表1. DDR稳压器BOM
描述
电容器68楼钽， 25V ， ESR 150mΩ
10nF的电容，陶瓷
电容器68楼钽， 6V ， 1.8Ω ESR
150nF的电容，陶瓷
电容器180楼专用聚合物4V ， ESR 15MΩ
电容器1000楼专用聚合物4V ， ESR为10mΩ
电容0.1μF ，陶瓷
1.82KΩ ， 1 ％电阻
56.2KΩ ， 1 ％电阻
为10kΩ ， 5 ％电阻
3.24KΩ ， 1 ％电阻
1.5KΩ ， 1 ％电阻
肖特基二极管30V
电感6.4 H， 6A， 8.64mΩ
电感0.8 H， 6A， 2.24mΩ
双MOSFET与肖特基
DDR控制器
数量。
1
2
1
2
2
1
2
3
1
2
1
2
2
C1
REF 。
AVX
任何
AVX
任何
C2, C3
C4
C5, C7
C6A ， C6B
(1)
C8
C9
R1, R2, R3
R3
R4
R5
R7, R8
D1, D2
L1
L2
Q1, Q2
U1
供应商
产品型号
TPSV686*025#0150
TAJB686*006
松下
基美
任何
任何
任何
任何
任何
任何
飞兆半导体
松下
松下
飞兆半导体
飞兆半导体
EEFUE0G181R
T510E108(1)004AS4115
BAT54
ETQ-P6F6R4HFA
ETQ-P6F0R8LFA
FDS6986AS
(2)
FAN5026
1
1
2
1
注意事项：
1 -C 6 = 2× 180 f由于平行。
2.适用于连续4A ，6A峰值的典型笔记本电脑应用V
DDQ
。如果连续运行
上述6A是必需的，使用单SO - 8封装。
欲了解更多信息，请参阅Power MOSFET选择
节并用AN- 6002的设计计算。
©2005仙童半导体公司
FAN5026 •版本1.0.8
www.fairchildsemi.com
7
FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
