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    1N4150.TR 参数 Datasheet PDF下载

    1N4150.TR图片预览
    型号： 1N4150.TR
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35,]
    分类和应用： 二极管
    文件页数/大小： 3 页 / 28 K
    品牌： FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号1N4150.TR的Datasheet PDF文件第1页浏览型号1N4150.TR的Datasheet PDF文件第3页  
    1N4150 / FDLL4150
    高电导率的超快速二极管
    （续）
    电气特性
    符号
    B
    V
    I
    R
    V
    F
    TA = 25° C除非另有说明
    参数
    击穿电压
    反向电流
    正向电压
    测试条件
    I
    R
    = 5.0
    µA
    V
    R
    = 50 V
    V
    R
    = 50 V ，T
    A
    = 150°C
    I
    F
    = 1.0毫安
    I
    F
    = 10毫安
    I
    F
    = 50毫安
    I
    F
    = 100毫安
    I
    F
    = 200毫安
    V
    R
    = 0中，f = 1.0兆赫
    I
    F
    = I
    R
    = 10毫安200毫安，R
    L
    = 100Ω
    I
    F
    = I
    R
    = 200毫安400毫安，R
    L
    = 100Ω
    I
    F
    = 200毫安， V
    FR
    = 1.0 V
    民
    75
    最大
    100
    100
    620
    740
    860
    920
    1.0
    2.5
    4.0
    6.0
    10
    单位
    V
    nA
    µA
    mV
    mV
    mV
    mV
    V
    pF
    nS
    nS
    nS
    540
    660
    760
    820
    0.87
    C
    O
    T
    RR
    T
    FR
    二极管电容
    反向恢复时间
    正向恢复时间

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