欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

1N4150.TR 参数 Datasheet PDF下载

1N4150.TR图片预览
型号: 1N4150.TR
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: [Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, Silicon, DO-35,]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 3 页 / 28 K
品牌: FAIRCHILD [ FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号1N4150.TR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N4150.TR的Datasheet PDF文件第3页  
1N4150 / FDLL4150
分立功率&信号
技术
1N4150 / FDLL4150
色带标记
设备
FDLL4150
1ST 2ND BAND BAND
LL-34
DO-35
伸缩缝的放置
HAS没有关系的位置
阴极端子
高电导率的超快速二极管
从过程1R来源。见MMBD1201-1205的特点。
绝对最大额定值*
符号
W
IV
I
O
I
F
i
f
i
F(浪涌)
工作电压逆
平均整流电流
直流正向电流
经常性峰值正向电流
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
50
200
400
600
1.0
4.0
-65到+200
175
单位
V
mA
mA
mA
A
A
°C
°C
T
英镑
T
J
峰值正向浪涌电流
脉冲宽度= 1.0秒
脉冲宽度= 1.0微秒
存储温度范围
工作结温
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项:
1)
这些评级是基于200度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻,结到环境
最大
1N / FDLL 4150
500
3.33
300
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
ã
1997仙童半导体公司