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ES29BDS160FB-12TG 参数 Datasheet PDF下载

ES29BDS160FB-12TG图片预览
型号: ES29BDS160FB-12TG
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内容描述: 16兆( 2M ×8 / 1M ×16 )的CMOS 3.0伏只,引导扇区闪存 [16Mbit(2M x 8/1M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 54 页 / 708 K
品牌: EXCELSEMI [ EXCEL SEMICONDUCTOR INC. ]
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E S I  
E S I  
Excel Semiconductor inc.  
AC CHARACTERISTICS  
Table 17. Temporary Sector Unprotect  
Parameter  
Description  
All Speed Options  
Unit  
JEDEC Std.  
tVIDR  
tRSP  
tRRB  
VID Rise and Fall Time (See Note)  
Min  
Min  
Min  
500  
4
ns  
us  
us  
RESET# Setup Time for Temporary Sector Unprotect  
RESET# Hold Time from RY/BY# High for Temporary Sector Unprotect  
4
Note: Not 100% tested.  
VID  
RESET#  
Vss,VIL,  
or VIH  
tVIDR  
tVIDR  
Program or Erase Command Sequence  
CE#  
WE#  
tRRB  
tRSP  
RY/BY#  
Figure 25. Temporary Sector Unprotect Timing Diagram  
41  
Rev. 1C Jan 5 , 2006  
ES29LV160D  
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